，據(jù)外媒報道，臺積電仍采用鰭式場效應晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝，在去年的12月29日正式開始商業(yè)化生產(chǎn)，量產(chǎn)之后產(chǎn)能在不斷提升。
對于臺積電量產(chǎn)已一個季度的3nm制程工藝，有外媒在報道中預計目前的良品率為63%或更低。
就外媒在報道中提到的良品率而言，臺積電3nm制程工藝目前的良品率，同更早投產(chǎn)的4nm還是有差距。外媒在報道中表示，臺積電4nm制程工藝的良品率目前預計在80%左右。
雖然目前臺積電3nm制程工藝的良品率，預計同4nm還有差距，但隨著量產(chǎn)時間的延長，良品率還會繼續(xù)提升，未來有望達到甚至超過4nm工藝的水平。
全球目前有兩家晶圓代工商已量產(chǎn)3nm制程工藝，另一家是三星電子。三星電子的3nm制程工藝在去年的6月30日量產(chǎn)，較臺積電早近半年，所代工的首批晶圓，也已在去年的7月25日發(fā)貨。
不過外媒在報道中，并未提及三星電子3nm制程工藝目前的良品率，但他們表示三星電子4nm制程工藝的良品率有明顯提升，最少達到了70%，已接近臺積電4nm制程工藝的良品率。
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